Согласованные пары кремниевых n-р-n транзисторов КТ222АС - КТ222ВС предназначены для использования в электронной аппаратуре широкого применения, в частности, для построения дифференциальных усилителей. Сборка выполнена в прямоугольном пластмассовом корпусе 2101.8-1 (DIP-8), выводы жесткие луженые рисунок 1. Масса — не более 1 г. Ближайший зарубежный аналог - DI4044 фирмы DIONICS Inc.
Цоколевка сборки: выводы 1, 2 и 3 - коллектор, база и эмиттер первого ттранзистора соответственно; выводы 5, 6 и 7 - эмиттер, база, коллектор второго транзистора; выводы 4 и 8 - свободные.
Технологически сборка изготовлена на одном кристалле с диэлектрической изоляцией элементов, что обеспечивает близкие значения основных параметров статического коэффициента передачи тока, падения напряжения база-эмиттер при коллекторном токе от 10 мкА до 1 мА и во всем рабочем температурном интервале. Вместе с тем транзисторы сборки имеют малую взаимную емкость.
Рис.1.
Основные электрические характеристики при температуре окружающей среды 25°С, если не указано иначе:
Разность значений напряжения база-эмиттер транзисторов, В, не более, при токе коллектора 10 мкА и напряжении коллектор-эмиттер 5В ...........3
Отношение значений статического коэффициента передачи тока базы транзисторов при токе коллектора 10 мкА и напряжении коллектор— эмиттер 5В для:
- КТ222АС ............0,8...1,25
- КТ222БС ............0,9...1,11
- КТ222ВС ...........0,95...1,05
Обратный ток коллекторного перехода, нА, не более, при напряжении на переходе 45В и температуре окружающей среды
- 25°С ......................1
- 70°С .....................50
Обратный ток эмиттерного перехода, нА, не более, при напряжении на переходе 5В ......................1
Статический коэффициент передачи тока базы, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5В и токе коллектора
- 10 мкА ...................200
- 1 мА.....................225
Емкость между коллекторами транзисторов, пф, не более, при разности значений напряжения на коллекторе транзисторов 5В .........................0,8
Граничная частота, МГц, не менее, при токе коллектора 1 мА и напряжении коллектор-эмиттер 10В .......................200
Предельные эксплуатационные значения:
Наибольшее обратное напряжение коллекторного перехода при токе коллектора 10 мкА ...............60
Наибольшее обратное напряжение коллектор-эмиттер, В, при токе коллектора 1 мА .................60
Наибольшее обратное напряжение эмиттерного перехода, В, при токе эмиттера 10 мкА ...............7
Наибольший постоянный ток коллектора, мА ...........1,5
Наибольшая разность значений напряжения на коллекторе транзисторов, В ......100
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С ....................-10...+70
Материал подготовил С. Коновалов
Главная