Russian Hamradio :: Мощный N-канальный полевой транзистор SD2933 фирмы STMicroelectronics.
Сайт радиолюбителей Республики Коми.

: главная: странички:

Мощный N-канальный полевой транзистор SD2933 фирмы STMicroelectronics.

Для большинства радиолюбителей конструирующих выходные каскады на транзисторах может быть интересным применить в своих конструкциях одну из разработок фирмы STMicroelectronics - это мощный N-канальный полевой транзистор SD2933, который предназначен для работы в линейных усилителях мощности на частотах до 150МГц при напряжении питания в 50 вольт - рис.1.

Данный транзистор специально разрабатывался для применения в выходных каскадах усилителей мощности на частотах до 30 МГц, Он имеет выходную мощность до 450 Вт при коэффициенте усиления - 20дб и КПД транзистора от 50 до 60%. Транзистор выполнен в корпусе М177 имеющим тепловое сопротивление кристалл - корпус 0,27°C/W.

Рис.1.

Мощный N-канальный полевой транзистор SD2933 имеет максимальную рассеиваемую мощность 640Вт при максимальном напряжении сток-исток - 150В и максимальный ток стока - 40А. Все приведенные параметры сохраняются при высокой температурной стабильности транзистора.

В таблице 1 и 2 приведены параметры транзистора SD2933. Для сохранения правильности данных приводимой фирмой-изготовителем все данные, приводимые в таблицах останутся без изменения.

Таблица 1. Absolute maximum ratings (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V(BR)DSS

Drain Source Voltage

125

V

Vdgr

Drain-Gate Voltage (Rgs = 1 MΩ)

125

V

Vgs

Gate-Source Volatge

±20

V

Id

Drain Current

40

A

Pdiss

Power Dissipation

648

W

Tj

Max. Operating Junction Temperature

200

°C

Eas

Avalanche Energy, Single Pulse (Id = 60 A)

1500

mJ

Ear

Avalanche Energy, Repetitive

50

mJ

TSTG

Storage Temperature

-65 to+150

°C

Rth(j-c)

Junction -Case Thermal Resistance

0.27

°C/W

Таблица 2.1. Electrical specification (Tcase = 25°C) - Static

Symbol

Test Conditions

Min.

Тур.

Max.

Unit

V(BR)DSS

VGS = 0 V IDS = 200 mA

125

 

 

V

Idss

VGS = 0 V VDS = 50 V

 

 

100

m А

Igss

VGS = 20 V VDS = 0 V

 

 

500

nA

Vgs(q)

VDS = 10 V ID = 250 mA

1.5

 

4

V

Vds(on)

VGS = 10 V ID = 20 A

 

 

3

V

Gfs

Vds = 10 V Id = 10 A

10

 

 

mho

Ciss

Vgs = 0 V Vds = 50 V f = 1 MHz

 

1000

 

pF

Coss

Vgs = 0 V Vds = 50 V f = 1 MHz

 

372

 

pF

Crss

Vgs = 0 V Vds = 50 V f = 1 MHz

 

29

 

pF

На рис.2. показана схема выводов транзистора SD2933.

Таблица 2.2. Electrical specification (Tcase = 25°C) - Dynamic

Symbol

Test Conditions

Min.

Тур.

Max.

Unit

Pout

Vdd = 50V Idq = 250 mA f = 30MHz

300

400

 

W

Gps

Vdd = 50V Idq = 250 mA POUT = 300W f = 30MHz

20

23.5

 

dB

h D

Vdd = 50 V Idq = 250 mA POUT = 300 W f = 30 MHz

50

65

 

%

Load Mismatch

Vdd = 50V Idq = 250 mA POUT = 300W f = 30MHz All Phase Angles

3:1

 

 

VSWR

В таблице 3 приведена зависимость параметров сопротивления транзистора от частоты.

Таблица 3. Impedance data

FREQ

Zin (Ω)Z

Zdl (Ω)

30 MHz

1.8 - 0.2

2.8 + j 2.3

108 MHz

1.9 + j 0.2

1.6 + j 1.4

175 MHz

1.9 + j 0.3

1.5 + j 1.6

Рис.3.

На рис.3 показана зависимость выходной мощности от напряжения и подводимой мощности на вход данного выходного каскада выполненного на транзисторе SD2933.

Схема выходного каскада выполненного на полевом транзисторе, на транзисторе SD2933 на 30 МГц показана на рис.4.

Все параметры деталей применяемых в схеме выходного каскада усилителя мощности приведены в таблице 4.

 

Таблица 4.

C1,C9

0.01 µF / 500 V SURFACE MOUNT CERAMIC CHIP CAPACITOR

C2, C3

750 pF ATC 700B SURFACE MOUNT CERAMIC CHIP CAPACITOR

C4

300 pF ATC 700B SURFACE MOUNT CERAMIC CHIP CAPACITOR

C5,C10,C11,C14,C16

10000 pF ATC 200B SURFACE MOUNT CERAMIC CHIP CAPACITOR

C6

510 pF ATC 700B SURFACE MOUNT CERAMIC CHIP CAPACITOR

C7

300 pF ATC 700B SURFACE MOUNT CERAMIC CHIP CAPACITOR

C8

175-680 pF TYPE 46 STANDARD TRIMMER CAPACITOR

C12

47 µF / 63 V ALUMINUM ELECTROLYTIC RADIAL LEAD CAPACITOR

C13

1200 pF ATC 700B SURFACE MOUNT CERAMIC CHIP CAPACITOR

C15

100 µF / 63 V ALUMINUM ELECTROLYTIC RADIAL LEAD CAPACITOR

R1,R3

1 K OHM 1 W SURFACE MOUNT CHIP RESISTOR

R2

560 OHM 2 W WIRE-WOUND AXILS LEAD RESISTOR

T1

HF 2-30 MHz SURFACE MOUNT 9:1 TRANSFORMER

T2

RG - 142B/U 50 OHM COAXIAL CABLE OD = 0.165[4.18] L 15"[381.00] COVERED WITH 15"[381.00] TINNED COPPER TUBULAR BRAND 13/65" [5.1] WIDTH

L1

1 3/4 TURN AIR-WOUND 16 AWG ID = 0.219 [5.56] POLY-COATED MAGNET WIRE

L2

1 3/4 TURN AIR-WOUND 12 AWG ID = 0.250 [6.34] BUS BAR WIRE

RFC1,RFC2

3 TURNS 14 AWG WIRE THROUGH FAIR RITE TOROID

FB1

SURFACE MOUNT EMI SHIELD BEAD

FB2

TOROID

PCB

ULTRALAM 2000. 0.030" THK, εr = 2.55, 2 Oz ED CU BOTH SIDES

Печатная плата выходного каскада усилителя приведена на рис 5.

Рис.5.

Раскладка деталей на печатной плате, а также выполнение всех монтажных работ при сборке усилителя показано на рис.6.

Рис.6.

Материал подготовил Ю. Погребан, (UA9XEX).

Rambler's Top100
Rambler's Top100 Рейтинг ресурсов УралWeb
Copyright © Russian HamRadio
Hosted by uCoz