Сайт радиолюбителей Республики Коми.
Новые биполярные и полевые транзисторы
На главнуюГлавная

В данной статье рассматриваются новые транзисторы, выпускаемые отечественной промышленностью: биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ. зарубежная аббревиатура — IGBT), а также полевые и биполярные транзисторы.

Таблица 1. Электрические параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором

Тип прибора

Технология, структура

Pc max, Вт

Uo, U*пор, В

UКЭ max, U*КБmax, B

UЗЭmax,B

IKmax, I*к, u max,B

IHЭК, мА

S, А/В

rКЭнас, Ом

tвкл, t*выкл НС

Корпус

Аналог

KE703А

БТИЗ

100

1...2.4*

370

±10

20*

25

10...25 (25В; 10 А)

0,15

-

KT-28-2

IRGB14C40L

KE708 А-5 Б-5 В-5

БТИЗ

-

-

1200

-

50*

75*

100*

-

-

0,056

0,036

0,028

500;

700*

б/к

-

1000

800

2Е712 А,Б, В

БТИЗ

210

-

800

-

-

1 2 5

-

-

300;

250*

KT-61A

-

1000

1200

2Е712 А1, Б1, В1

БТИЗ

115

-

800

-

-

1 2 5

-

-

300;

250*

KT-57

:

1000

1200

2Е712 А2, Б2, В2

БТИЗ

115

-

800

-

-

1 2 5

-

-

300;

250*

1000

1200

KE802 А, Б, В, Г

БТИЗ

100

3...6

600

±20

23*;

46**

0,25

3,1 (100В; 12А)

0,12

1500

600

300

150

KT-9

IRG4BC30W

2Е802 А-5

БТИЗ

50

3...6

600

±20

23*

0,25

-

0,12

-

б/к

IRG4DC30

В табл. 1 представлены электрические параметры БТИЗ.

Транзисторы КЕ703А предназначены для работы в системах электронного зажигания бензиновых двигателей внутреннего сгорания. Транзисторы 2Е802А-5 и КЕ-802 относятся к пятому поколению БТИЗ и рассчитаны на применение в сетевых источниках питания, преобразователях постоянного и переменного напряжения средней мощности (0,2...5 кВт) (при входном напряжении до 550В и частоте преобразования до 100 кГц), в электронных балластах газоразрядных ламп высокого давления, в электронных трансформаторах для питания галогенных ламп, в системах регулируемого электропривода, в источниках бесперебойного питания, в узлах коррекции коэффициента мощности. Транзисторы КЕ708 и 2Е712 могут быть использованы в различных устройствах коммутации и импульсных источниках питания.

Таблица 2. Электрические параметры полевых транзисторов

Тип прибора

Технология, структура

РСmax, Вт

UО, U*пор, В

UСИmax, В

UЗИmax, В

IСmax, I*с, u max,А

ICнач, I*c, u, max, А

S, А/В

Свх, С*пр, С**вых,пФ

rСИ отк, Ом

t* выкл, нс

Корпус

Аналог

2П334А1/ПМ

с p-n переходом

0,2

-(0,3…8)

25

30

0,005

КТ-1

Б1/ПМ

0,07

2П7102Д

пМОП, с диодом

150

2…4*

60

±20

45; 200*

0,25*

і15 (25В; 31А)

2500; 1200**

0,028

130; 150*

КТ-97В

IRFZ44

2П7141Б

рМОП, с диодом

200

-2…-4*

–100

±20

35; 122*

0,025

і10 (-25В; 21А)

3650; 1000**

0,08

35; 160*

КТ-97С

IRF5210

2П7144А

рМОП, с диодом

150

-2…-4*

–100

±20

19; 72*

0,01*

і6,2 (-30В; 11А)

2000; 200* 820**

0,2

16; 34*

КТ-97В

IRF9540

2П7145А1/ИМ

пМОП, с диодом

150

2…4*

200

±20

27; 108*

0,25*

і12 (25В; 18А)

5500; 1100*

0,085

140; 190*

КТ-97С

Б1/ИМ

пМОП, с диодом

150

2…4*

200

±20

25; 100*

0,25*

і10 (25В; 18А)

5500; 1100*

0,1

140; 190*

 

КП(2П)715А

ДМОП

600

75

0,08

КП(2П)715Б

1200

50

0,3

КП(2П)7154АС

875

1200

±25

50; 100*

КП(2П)7154БС

800

60; 120*

КП(2П)7154 ВС

600

75; 150*

2П7161А-5

ДМОП, n-канал, с диодом

2…4*

30

±20

35

0,1

0,006

б/к

2П7161 Б-5

60

46

0,008

2П7165А-5

ДМОП, р-канал, с диодом

|-0,7|…|-2,2|

–30

±20

3

0,25

0,05

2П7165 Б-5

|-0,7|…|-1|

2П7165 В-5

|-1|…|-1,3|

2П7165 Г-5

|-1,3|…|-1,6|

2П7165 Д-5

|-1,6|…|-1,9|

2П7165 Е-5

|-1,9|…|-2,2|

2П7167А-5

ДМОП, р-канал, с диодом

|-0,7|…|-2,2|

–200

±20

3

0,25

0,05

2П7167 Б-5

|-0,7|…|-1|

2П7167 В-5

|-1|…|-1,3|

2П7167 Г-5

|-1,3|…|-1,6|

2П7167 Д-5

|-1,6|…|-1,9|

2П7167Е-5

|-1,9|…|-2,2|

2П7172А

пМОП, с диодом

125

2…4,5*

100

±20

30; 120*

0,25*

і14 (25В; 20А)

0,05

КТ-97В

КП7173А

пМОП

70

3…4,5*

600

±30

4

2

КТ-28-2

STP4NK60Z

КП778А

пМОП

190

2…4*

200

±20

30

12 (50В; 12А)

0,085

КТ-43

IRFP250

КП778Б

200

25

0,12

STH33N20

КП778В

250

23

0,14

BUZ350

В табл.2 представлены электрические параметры полевых транзисторов с p-n-переходом и МОП типа, с р - или n-каналами.

Малошумящие транзисторы 2П334 отличаются низким ЭДС шума (15 нВ/) на частоте 1 кГц и имеют коэффициент шума 5,5 дБ (на частоте 2 МГц). Транзисторы 2П7102, 2П7145 и 2П7172 является мощными n-канальными приборами с обогащением и встроенными обратно смещенными диодами, а транзисторы 2П7141 И2П7144 — р - канальными приборами, предназначенными для использования в источниках вторичного электропитания и преобразовательной аппаратуре.

Транзисторы КП715 и 2П715 имеют специальный металлокерамический корпус с безиндуктивными выводами для улучшения динамических параметров. Они выполнены на изоляторе из оксида бериллия, имеющем высокую теплопроводность и характеризуются высокой энергоциклостойкостью из-за отсутствия “мягких” припоев, широким диапазоном рабочих температур (-60...+ 150°С) и могут применяться в широкополосных схемах СВЧ и ВЧ преобразователях.

Транзисторы КП7154, 2П7154 разработаны для работы в экстремальных условиях (при высоких перепадах температуры, в космосе, в условиях высокого электромагнитного воздействия) и предназначены для преобразователей напряжения и широкополосных устройств.

Бескорпусные транзисторы 2П7161 А5/В5 с обратным диодом имеют низкое сопротивление “сток-исток” в открытом состоянии (соответственно, 0,006 и 0,008 Ом), возможность параллельного включения и предназначены для работы в качестве силовых ключей вторичных источников электропитания и в системах синхронного выпрямления.

Бескорпусные полевые транзисторы с обратным диодом 2П7165 и 2П7167 имеют низкое сопротивление “сток-исток” в открытом состоянии (соответственно, 0,05 и 0,2 Ом), возможность параллельного включения.

Транзисторы 2П829 имеют малое сопротивление “сток-исток” в открытом состоянии (0,003…1,2 Ом) и предназначены для использования в источниках питания и преобразователях.

Таблица 3. Электрические параметры кремниевых биполярных транзисторов

Тип прибора

Структура

Рк max, Вт

fгр, МГц

Uкбо max, U*кэr max, U**кэо max, В

Uэбо max, В

Iк max, А

IКБО, I*КЭR, mкA

h21Э

rКЭ нас, Ом

Корпус

Аналог

КТ222АС

n-p-n, сдвоенный

200

60

0,001

225

б/к

DI4044

КТ222 БС

100

100

DI4045

КТ222 ВС

200

200

DI4878

КТ742А-5

n-p-n

60

 

700; 600*

9

1

400

6…38

б/к

КТ742 Б-5

 

600; 500*

5…40

КТ8164А

n-p-n

75

4

700; 400**

9

4

100

8…40

0,12

КТ-28-2

MJD13005

КТ8164В

600; 300**

TD13004

КТ8170А9

n-p-n

40

4

700; 400**

9

1,5

100*

8…40

0,33

КТ-89 (ТО-252)

MJE13003, BUD43B

КТ8170Б9

600; 300**

MJE13002

КТ8224А-5

n-p-n

65

1500; 700**

5

10

J 1 000

3,5…10 (5В; 1А)

0,2

б/к

КТ8296А

n-p-n

10

40; 30*

5

3

100

60…120

0,17

КТ-27 (ТО-126)

KSD882

КТ8296Б

100...200

SD882Q

КТ8296В

160...320

2SD882P

КТ8296 Г

200... 400

2SD882R

КТ8297А

p-n-p

10

30*

5

3

100

60... 120

0,17

КТ-27 (ТО-126)

KSB772

КТ8297Б

100...200

BD330

КТ8297В

160...320

KSB772

КТ8297 Г

200... 400

КТ8301А-5

n-p-n

30

 

160*

5

10

100*

i100

0,05

б/к

КТ837А1

p-n-p

25

i1

80; 60*

15

7,5

150

10...40 (5В; 2А)

0.8

КТ-92 (ТО-251)

KSH2955I

КТ837Б1

20…80 (5В; 2А)

КТ837В1

50…150 (5В; 2А)

КТ837 Г1

60; 45*

 

 

 

10…40 (5В; 2А)

0.3

КТ837Д1

 

 

 

20…80 (5В; 2А)

КТ837Е1

 

 

 

50…150 (5В; 2А)

КТ837И1

15

7,5

150

10…40 (5В; 2А)

0,25

КТ837К1

45; 30*

 

 

 

20…80 (5В; 2А)

КТ837Л1

 

 

 

50…150 (5В; 2А)

КТ837М1

80; 60*

 

 

 

10…40 (5В; 2А)

0,8

КТ837Н1

 

 

 

20…80 (5В; 2А)

КТ837П1

60; 45*

 

 

 

50…150 (5В; 2А)

КТ837С1

 

 

 

10…40 (5В; 2А)

0,3

КТ837У1

45; 30*

 

 

 

20…80 (5В; 2А)

КТ837Ф1

 

 

 

50…150 (5В; 2А)

0,25

КТ837Х1

100; 80*

 

 

 

і20 (5В; 2А)

КТ-939А1

n-p-n

4

2500

30; 30**

 

 

1000

40…200 (12В; 0,2А)

КТ-16А-2

2SC1262

КТ-939Б1

1500

3,5

0,4

2000

20…200 (12В; 0,2А)

КТ-939В1

2400

 

 

1000

40…200 (12В; 0,2А)

В табл. 3 представлены электрические параметры биполярных транзисторов.

Бескорпусные приборы КТ222 представляют собой согласованную пару транзисторов с отношением статических коэффициентов усиления h21Э1/h21Э2 = 0,8…1,25 и разностью прямых падений напряжения на переходах эмиттер-база (UБЭ1 — UБЭ2) = 3…10 мВ. Они предназначены для применения в схемах дифференциальных или операционных усилителей и в других каскадах, где требуется идентичность параметров двух транзисторов.

Транзисторы КТ742, КТ8164, КТ8170, КТ8224А-5 предназначены для применения в оконечных каскадах строчной развертки телевизоров и высоковольтных источников питания, а комплементарные транзисторы КТ8296 и КТ8297 — для схем с дополнительной симметрией со структурами n-p-n и p-n-p в линейных переключательных и усилительных схемах.

Транзисторы КТ8301А-5 и КТ837 предназначены для применения в низкочастотных усилительных и переключательных устройствах, а транзисторы КТ939 — в высокочастотных усилителях класса А с повышенными требованиями к линейности.

Обозначения электрических параметров, принятые в таблицах:

  • РС max и РK max — максимальная мощность рассеяния на стоке и коллекторе соответственно;
  • Uси max, Ukэ max, Uкб max — максимально допустимые напряжения “сток-исток”, “коллектор-эмиттер”, “коллектор-база”;
  • Uзэ max, Uзи max, Uэбо max — максимальные напряжения “затвор-эмиттер”, “затвор-исток”, “эмиттер-база”;
  • Ukэr max, Ukэо max, — максимальные напряжения между коллектором и эмиттером при сопротивлении в цепи “база-эмиттер” и разомкнутой цепи базы;
  • IС max, Iс, u, max, IК max, Iк, u, max, — максимальные постоянные и импульсные токи стока и коллектора;
  • Iс нач, Iс ост — начальный и остаточный токи стока;
  • Iкбо, Iкэr — обратные токи “коллектор-база” и “коллектор-эмиттер” при сопротивлении в цепи базы;
  • S — крутизна характеристики;
  • h21Э — коэффициент усиления;
  • rСИ нас — сопротивление сток-исток в открытом состоянии;
  • rКЭ нас — сопротивление насыщения “коллектор-эмиттер”;
  • t вкл, t выкл — время включения и выключения.

Анатолий Нефедов

РС5-2008

На главнуюГлавная
Rambler's Top100 Rambler's Top100 ручные, цепные, рычажные тали. . поставки грузовиков вольво . Вы можете подать заявку на кредит в отделениях банка. кредиты наличными удобство кредитов наличными
Hosted by uCoz