Главная

В данной статье рассматриваются новые транзисторы, выпускаемые отечественной промышленностью: биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ. зарубежная аббревиатура — IGBT), а также полевые и биполярные транзисторы.

Таблица 1. Электрические параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором

Тип прибора	Технология, структура	Pc max, Вт	Uo, U*пор, В	UКЭ max, U*КБmax, B		UЗЭmax,B	IKmax, I*к, u max,B	IHЭК, мА	S, А/В	rКЭнас, Ом	tвкл, t*выкл НС	Корпус	Аналог
KE703А	БТИЗ	100	1...2.4*	370		±10	20*	25	10...25 (25В; 10 А)	0,15	-	KT-28-2	IRGB14C40L
KE708 А-5 Б-5 В-5	БТИЗ	-	-	1200		-	50* 75* 100*	-	-	0,056 0,036 0,028	500; 700*	б/к	-
				1000
				800
2Е712 А,Б, В	БТИЗ	210	-	800		-	-	1 2 5	-	-	300; 250*	KT-61A	-
				1000
				1200
2Е712 А1, Б1, В1	БТИЗ	115	-	800		-	-	1 2 5	-	-	300; 250*	KT-57	:
				1000
				1200
2Е712 А2, Б2, В2	БТИЗ	115	-	800		-	-	1 2 5	-	-	300; 250*
				1000
				1200
KE802 А, Б, В, Г	БТИЗ	100	3...6	600		±20	23*; 46**	0,25	3,1 (100В; 12А)	0,12	1500 600 300 150	KT-9	IRG4BC30W
2Е802 А-5	БТИЗ	50	3...6	600		±20	23*	0,25	-	0,12	-	б/к	IRG4DC30

В табл. 1 представлены электрические параметры БТИЗ.

Транзисторы КЕ703А предназначены для работы в системах электронного зажигания бензиновых двигателей внутреннего сгорания. Транзисторы 2Е802А-5 и КЕ-802 относятся к пятому поколению БТИЗ и рассчитаны на применение в сетевых источниках питания, преобразователях постоянного и переменного напряжения средней мощности (0,2...5 кВт) (при входном напряжении до 550В и частоте преобразования до 100 кГц), в электронных балластах газоразрядных ламп высокого давления, в электронных трансформаторах для питания галогенных ламп, в системах регулируемого электропривода, в источниках бесперебойного питания, в узлах коррекции коэффициента мощности. Транзисторы КЕ708 и 2Е712 могут быть использованы в различных устройствах коммутации и импульсных источниках питания.

Таблица 2. Электрические параметры полевых транзисторов

Тип прибора	Технология, структура	РСmax, Вт	UО, U*пор, В	UСИmax, В	UЗИmax, В	IСmax, I*с, u max,А	ICнач, I*c, u, max, А		S, А/В	Свх, С*пр, С**вых,пФ	rСИ отк, Ом		t* выкл, нс		Корпус	Аналог
2П334А1/ПМ	с p-n переходом	0,2	-(0,3…8)	25	30	—	—		0,005	—	—		—		КТ-1	—
Б1/ПМ									0,07
2П7102Д	пМОП, с диодом	150	2…4*	60	±20	45; 200*	0,25*		і15 (25В; 31А)	2500; 1200**	0,028		130; 150*		КТ-97В	IRFZ44
2П7141Б	рМОП, с диодом	200	-2…-4*	–100	±20	35; 122*	0,025		і10 (-25В; 21А)	3650; 1000**	0,08		35; 160*		КТ-97С	IRF5210
2П7144А	рМОП, с диодом	150	-2…-4*	–100	±20	19; 72*	0,01*		і6,2 (-30В; 11А)	2000; 200* 820**	0,2		16; 34*		КТ-97В	IRF9540
2П7145А1/ИМ	пМОП, с диодом	150	2…4*	200	±20	27; 108*	0,25*	і12 (25В; 18А)		5500; 1100*	0,085	140; 190*		КТ-97С		—
Б1/ИМ	пМОП, с диодом	150	2…4*	200	±20	25; 100*	0,25*	і10 (25В; 18А)		5500; 1100*	0,1	140; 190*				—
КП(2П)715А	ДМОП	—	—	600	—	75	—	—		—	0,08	—		—		—
КП(2П)715Б				1200		50					0,3	—				—
КП(2П)7154АС	—	875	—	1200	±25	50; 100*	—	—		—	—	—				—
КП(2П)7154БС				800		60; 120*
КП(2П)7154 ВС				600		75; 150*
2П7161А-5	ДМОП, n-канал, с диодом	—	2…4*	30	±20	35	0,1	—		—	0,006	—		б/к		—
2П7161 Б-5				60		46					0,008
2П7165А-5	ДМОП, р-канал, с диодом	—	|-0,7|…|-2,2|	–30	±20	3	0,25	—		—	0,05	—				—
2П7165 Б-5			|-0,7|…|-1|
2П7165 В-5			|-1|…|-1,3|
2П7165 Г-5			|-1,3|…|-1,6|
2П7165 Д-5			|-1,6|…|-1,9|
2П7165 Е-5			|-1,9|…|-2,2|
2П7167А-5	ДМОП, р-канал, с диодом	—	|-0,7|…|-2,2|	–200	±20	3	0,25	—		—	0,05	—				—
2П7167 Б-5			|-0,7|…|-1|
2П7167 В-5			|-1|…|-1,3|
2П7167 Г-5			|-1,3|…|-1,6|
2П7167 Д-5			|-1,6|…|-1,9|
2П7167Е-5			|-1,9|…|-2,2|
2П7172А	пМОП, с диодом	125	2…4,5*	100	±20	30; 120*	0,25*	і14 (25В; 20А)		—	0,05	—		КТ-97В		—
КП7173А	пМОП	70	3…4,5*	600	±30	4	—	—		—	2	—		КТ-28-2		STP4NK60Z
КП778А	пМОП	190	2…4*	200	±20	30	—	12 (50В; 12А)		—	0,085	—		КТ-43		IRFP250
КП778Б				200		25					0,12					STH33N20
КП778В				250		23					0,14					BUZ350

В табл.2 представлены электрические параметры полевых транзисторов с p-n-переходом и МОП типа, с р - или n-каналами.

Малошумящие транзисторы 2П334 отличаются низким ЭДС шума (15 нВ/) на частоте 1 кГц и имеют коэффициент шума 5,5 дБ (на частоте 2 МГц). Транзисторы 2П7102, 2П7145 и 2П7172 является мощными n-канальными приборами с обогащением и встроенными обратно смещенными диодами, а транзисторы 2П7141 И2П7144 — р - канальными приборами, предназначенными для использования в источниках вторичного электропитания и преобразовательной аппаратуре.

Транзисторы КП715 и 2П715 имеют специальный металлокерамический корпус с безиндуктивными выводами для улучшения динамических параметров. Они выполнены на изоляторе из оксида бериллия, имеющем высокую теплопроводность и характеризуются высокой энергоциклостойкостью из-за отсутствия “мягких” припоев, широким диапазоном рабочих температур (-60...+ 150°С) и могут применяться в широкополосных схемах СВЧ и ВЧ преобразователях.

Транзисторы КП7154, 2П7154 разработаны для работы в экстремальных условиях (при высоких перепадах температуры, в космосе, в условиях высокого электромагнитного воздействия) и предназначены для преобразователей напряжения и широкополосных устройств.

Бескорпусные транзисторы 2П7161 А5/В5 с обратным диодом имеют низкое сопротивление “сток-исток” в открытом состоянии (соответственно, 0,006 и 0,008 Ом), возможность параллельного включения и предназначены для работы в качестве силовых ключей вторичных источников электропитания и в системах синхронного выпрямления.

Бескорпусные полевые транзисторы с обратным диодом 2П7165 и 2П7167 имеют низкое сопротивление “сток-исток” в открытом состоянии (соответственно, 0,05 и 0,2 Ом), возможность параллельного включения.

Транзисторы 2П829 имеют малое сопротивление “сток-исток” в открытом состоянии (0,003…1,2 Ом) и предназначены для использования в источниках питания и преобразователях.

Таблица 3. Электрические параметры кремниевых биполярных транзисторов

Тип прибора	Структура	Рк max, Вт	fгр, МГц	Uкбо max, U*кэr max, U**кэо max, В	Uэбо max, В	Iк max, А	IКБО, I*КЭR, mкA	h21Э	rКЭ нас, Ом	Корпус	Аналог
КТ222АС	n-p-n, сдвоенный	—	200	60	—	0,001	—	225	—	б/к	DI4044
КТ222 БС			100					100			DI4045
КТ222 ВС			200					200			DI4878
КТ742А-5	n-p-n	60		700; 600*	9	1	400	6…38	—	б/к	—
КТ742 Б-5				600; 500*				5…40
КТ8164А	n-p-n	75	4	700; 400**	9	4	100	8…40	0,12	КТ-28-2	MJD13005
КТ8164В				600; 300**							TD13004
КТ8170А9	n-p-n	40	4	700; 400**	9	1,5	100*	8…40	0,33	КТ-89 (ТО-252)	MJE13003, BUD43B
КТ8170Б9				600; 300**							MJE13002
КТ8224А-5	n-p-n	65	—	1500; 700**	5	10	J 1 000	3,5…10 (5В; 1А)	0,2	б/к	—
КТ8296А	n-p-n	10	—	40; 30*	5	3	100	60…120	0,17	КТ-27 (ТО-126)	KSD882
КТ8296Б								100...200			SD882Q
КТ8296В								160...320			2SD882P
КТ8296 Г								200... 400			2SD882R
КТ8297А	p-n-p	10	—	30*	5	3	100	60... 120	0,17	КТ-27 (ТО-126)	KSB772
КТ8297Б								100...200			BD330
КТ8297В								160...320			KSB772
КТ8297 Г								200... 400			—
КТ8301А-5	n-p-n	30		160*	5	10	100*	i100	0,05	б/к	—
КТ837А1	p-n-p	25	i1	80; 60*	15	7,5	150	10...40 (5В; 2А)	0.8	КТ-92 (ТО-251)	KSH2955I
КТ837Б1								20…80 (5В; 2А)
КТ837В1								50…150 (5В; 2А)
КТ837 Г1				60; 45*				10…40 (5В; 2А)	0.3
КТ837Д1								20…80 (5В; 2А)
КТ837Е1								50…150 (5В; 2А)
КТ837И1					15	7,5	150	10…40 (5В; 2А)	0,25
КТ837К1				45; 30*				20…80 (5В; 2А)
КТ837Л1								50…150 (5В; 2А)
КТ837М1				80; 60*				10…40 (5В; 2А)	0,8
КТ837Н1								20…80 (5В; 2А)
КТ837П1				60; 45*				50…150 (5В; 2А)
КТ837С1								10…40 (5В; 2А)	0,3
КТ837У1				45; 30*				20…80 (5В; 2А)
КТ837Ф1								50…150 (5В; 2А)	0,25
КТ837Х1				100; 80*				і20 (5В; 2А)
КТ-939А1	n-p-n	4	2500	30; 30**			1000	40…200 (12В; 0,2А)	—	КТ-16А-2	2SC1262
КТ-939Б1			1500		3,5	0,4	2000	20…200 (12В; 0,2А)
КТ-939В1			2400				1000	40…200 (12В; 0,2А)

В табл. 3 представлены электрические параметры биполярных транзисторов.

Бескорпусные приборы КТ222 представляют собой согласованную пару транзисторов с отношением статических коэффициентов усиления h₂₁Э1/h₂₁Э2 = 0,8…1,25 и разностью прямых падений напряжения на переходах эмиттер-база (UБЭ1 — UБЭ2) = 3…10 мВ. Они предназначены для применения в схемах дифференциальных или операционных усилителей и в других каскадах, где требуется идентичность параметров двух транзисторов.

Транзисторы КТ742, КТ8164, КТ8170, КТ8224А-5 предназначены для применения в оконечных каскадах строчной развертки телевизоров и высоковольтных источников питания, а комплементарные транзисторы КТ8296 и КТ8297 — для схем с дополнительной симметрией со структурами n-p-n и p-n-p в линейных переключательных и усилительных схемах.

Транзисторы КТ8301А-5 и КТ837 предназначены для применения в низкочастотных усилительных и переключательных устройствах, а транзисторы КТ939 — в высокочастотных усилителях класса А с повышенными требованиями к линейности.

Обозначения электрических параметров, принятые в таблицах:

• Р_С max и Р_K max — максимальная мощность рассеяния на стоке и коллекторе соответственно;
• Uси max, Ukэ max, Uкб max — максимально допустимые напряжения “сток-исток”, “коллектор-эмиттер”, “коллектор-база”;
• Uзэ max, Uзи max, Uэбо max — максимальные напряжения “затвор-эмиттер”, “затвор-исток”, “эмиттер-база”;
• Ukэr max, Ukэо max, — максимальные напряжения между коллектором и эмиттером при сопротивлении в цепи “база-эмиттер” и разомкнутой цепи базы;
• I_С max, Iс, u, max, I_К max, Iк, u, max, — максимальные постоянные и импульсные токи стока и коллектора;
• Iс нач, Iс ост — начальный и остаточный токи стока;
• Iкбо, Iкэr — обратные токи “коллектор-база” и “коллектор-эмиттер” при сопротивлении в цепи базы;
• S — крутизна характеристики;
• h₂₁Э — коэффициент усиления;
• r_СИ нас — сопротивление сток-исток в открытом состоянии;
• r_КЭ нас — сопротивление насыщения “коллектор-эмиттер”;
• t вкл, t выкл — время включения и выключения.

Анатолий Нефедов

РС5-2008

Главная