Сайт радиолюбителей Республики Коми.
Новая линейка силовых транзисторов MOSFET Vishay.
На главнуюГлавная

Компания Vishay Intertechnology объявила о выпуске новой группы силовых MOSFET-транзисторов в индустриальном исполнении с низким сопротивлением канала. Это позволит упростить схемотехнику при одновременном увеличении длительности работы портативных электронных устройств от батарей. Новые изделия выверены под безопасный и надежный уровень напряжения для схем мобильной электроники 1,2…1,3 В. Это первые силовые MOSFET-транзисторы, питающиеся непосредственно от шины 1,2В, что позволяет исключить дополнительные внешние преобразующие цепи питания для устройств с автономным питанием до 1,8 В.

В новых TrenchFET-транзисторах при достижении уровня 1,2В гарантируется сопротивление канала “исток” 0,041 Ом — (для n-канальных) и 0,095 Ом — (для p-канальных).

При напряжении 1,5В на затворе этот параметр составляет, соответственно, — 0,022 и 0,058 Ом. Сравнительные характеристики одноканальных транзисторов при напряжении “исток-сток” ±8В приведены в таблице.

Имея миниатюрные размеры (1,5 х 1,5 мм), новые изделия предназначены для применения в усилителях мощности, мобильных телефонах, карманных компьютерах, MP3-плеерах, цифровых камерах и другой портативной технике.

Наименование прибора

Тип канала

Сопротивление канала (Ом, при 1,2 В)

Сопротивление канала (Ом, при 1,5 В)

Тип корпуса

SiA414DJ

n-канал

0,041

0,022

PowerPAK SC-70

Si8424D

n-канал

0,077

0,043

MICRO FOOT

SiB414DK

n-канал

0,089

0,052

PowerPAK SC-75

SiA417DJ

p-канал

0,095

0,058

PowerPAK SC-70

Si8429DB

p-канал

0,098

0,069

MICRO FOOT

SiB417DK

p-канал

0,222

0,130

PowerPAK SC-75

Si1499DH

p-канал

0,424

0,153

PowerPAK SC-70

Ремонт и Сервис

РС2-2008

На главнуюГлавная
Rambler's Top100 Rambler's Top100 Приобретайте строительные блоки! продажа пенобетонных блоков - практично
Hosted by uCoz