Russian Hamradio - Портативный прибор для подбора пары мощных транзисторов KB усилителя мощности.
Сайт радиолюбителей Республики Коми.
Портативный прибор для подбора пары мощных транзисторов KB усилителя мощности.
На главнуюГлавная

Поводом для написания этой заметки послужила статья Александра Тарасова (UT2FW) “Портативный KB трансивер” [1], где описывается двухтактный усилитель мощности на мощных биполярных транзисторах КТ965 (КТ966, КТ967) и частые веерные отключения электроэнергии у автора, что заставляет применять 12-вольтовые аккумуляторы. Как отмечает автор, что выходные транзисторы требуют обязательного подбора пары. Причем, только при малых токах мощные транзисторы подобрать не удается. Характеристики транзисторов необходимо сравнивать хотя бы при токах коллектора 50 мА, 0,3А и 1А.

Электрическая схема прибора для подбора мощных ВЧ транзисторов по постоянному току показана на рисунке 1 и фактически состоит из мультиметра РА1, переключаемого из цепи коллектора в цепь базы с помощью SA1 (П2К), набора резисторов, источника питания и гибких выводов с зажимами типа “крокодил” для подключения исследуемого транзистора VT1.

Рис.1.

Методика измерения параметров следующая: в положении переключателя SA1 “Iк” переменным резистором R6 и тумблером SA2 задаются по очереди токи коллектора транзистора 50 мА, 0,3А и 1А. После каждой установки тока коллектора переводят SA1 в положение “16” и измеряют ток базы, соответствующий заданному коллекторному току.

Переключение SA1 необходимо производить, отключив питание с помощью SA3). Можно задать и большее количество точек измерения, тем самым точнее подобрать пару транзисторов. По результатам измерений отбираются пары транзисторов с минимальным разбросом тока базы.

Источник питания должен применяться достаточно мощный - это могут быть аккумуляторы или несколько включенных последовательно и параллельно элементов 1,5B. Конечно, можно применить и сетевой источник, но тогда прибор теряет свою портативность. Данная схема предназначена для измерения n-р-n транзисторов, хотя не представляет трудности, изменив полярность питания, переделать ее и под p-n-р транзисторы.

В. Башкатов, (US0IZ)

Литература:

1.РХ - №12/1999, №1-3/2000

На главнуюГлавная
Rambler's Top100 Rambler's Top100 Рейтинг ресурсов УралWeb

Hosted by uCoz