Неисправности, связанные с SIM-картой.
При неисправностях, связанных с SIM-картой, на дисплей могут выводиться различные сообщения: 
• “Wrong card” или “Insert correct card”, означающие, что телефон заблокирован и не может работать в сети;
• “Phone lock”, означающая, что телефон заблокирован пользователем и может быть разблокирован после ввода PIN-кода;
• “PIN” или Enter PIN” - аналогично предыдущему;
• “Insert card”, свидетельствующая об отсутствии SIM-карты или ее неисправности.
Выявление неисправности SIM-карты начинают с проверки ее напряжения питания VSIMPAD. Рис.1. 
Указанное напряжение измеряют на контактах 8 и 10 системного соединителя (рис. 1).
Оно должно составлять 4,9 В.
Рис .2.
Если напряжение VSIMPAD отличается от рекомендуемого более чем на 0,2 В, проверяют исправность резистора R724 (47 Ом, рис. 2).
После этого на плату подают питание, включают телефон и измеряют напряжение на выв. 2 микросхемы N705 (рис.3, 4), которое должно составлять 3,1 В. 
Кроме того, проверяют напряжение VDIG на конденсаторе С600, оно должно равняться 3,2 В (рис.4 ).
Если напряжение меньше указанной величины, выключают питание и измеряют сопротивление между маркированным выводом конденсатора С600 и земляной шиной. Оно должно составлять не менее 500 Ом.
Рис.3.
В том случае, если сопротивление оказалось меньше 500 Ом, производят замену микросхемы N702 (см. рис.4 ).
Если же напряжение VDIG в норме, измеряют сопротивление резистора R706, которое должно быть равно 4,7 Ом.
Если оно в норме, проверяют исправность цепей между маркированным выводом резистора R706 и маркированным выводом конденсатора С600, а также между немаркированным выводом того же резистора и выв. 2 микросхемы N705. 
Если омметр показывает обрыв цепи, проверяют дорожку печатной платы на обрыв.
После этой операции измеряют выходное напряжение VSIMPAD (5 В) на выв. 3 микросхемы N705.
Рис .4.
Если оно не в норме, эту микросхему заменяют на исправную, а если з норме, то причиной неисправности может быть обрыв цепи между выв. 3 микросхемы N705 и резистором R724 или между выв. 3 той же микросхемы и выв. 2 транзистора WOO.
Если напряжение VSIMPAD в норме, то причиной неисправности может быть загрязнение контактов держателя SIM-карты, плохое качество пайки выводов элементов (см. рис.3 ).
Неисправность резисторов R600 (33 Ом), R627 (0 Ом), R628 (100 кОм), R704 (100 кОм), неисправность цепей между маркированным выводом резистора R600 и конт. 2 соединителя Х600, между маркированным выводом резистора R627 и конт. 3 Х600, а также между маркированным выводом резистора R628 и конт. 7 Х600 .
Если ни одна из указанных мер не помогла, следует заменить микросхему D600.
| 
