Сайт радиолюбителей Республики Коми.
Маркировка импортных дискретных полупроводниковых приборов.
На главнуюГлавная

Ключ маркировки импортных дискретных полупроводниковых приборов, выпущенных после 1983 года, постоит из пяти элементов, которые условно обозначим их как а, b, с, e. В качестве примера приведем прибор 2SC1416A на котором, и попытаемся разобраться во всех этих обозначениях.

Эти обозначения означают следующее:

1. а — арабская цифра, характеризующая тип элемента:

  • 0 - фотодиод, фототранзистор;
  • 1 - диод;
  • 2 - транзистор:
  • 3 - четырехслойный диод;

2. b — буква S, которая означает, что данный ключ относится к рассматриваемому элементу;

3. с — буква, которая характеризует тип:

  • А - ВЧ-транзистор с р-n-р переходом;
  • В - НЧ-транзистор с р-n-р переходом;
  • С - ВЧ- транзистор с р-n-р переходом;
  • D - НЧ- транзистор с р-n-р переходом;
  • Е - четырехслойный диод со структурой типа р-n-р-n;
  • G - четырехслойный диод со структурой типа n-р-n-р;
  • H - неинжектированный диод - т.е. диод имеющий двойную базу;
  • J - полевой транзистор с каналом p-типа;
  • К - полевой транзистор с каналом n-типа;
  • M - симметричный тиристор (симистор);

4. d — многозначный регистрационный номер, который не позволяет сделать никаких выводов о технических характеристиках и свойствах прибора, это просто номер но каталогу;

5. е — буква А или В характеризует варианты основного типа но техническим характеристикам; для основного типа этот элемент и обозначении отсутствует.

Материал подготовил Ю. Замятин (UA9XPJ).

На главнуюГлавная
Rambler's Top100 Rambler's Top100 Рейтинг ресурсов УралWeb
Hosted by uCoz