 International
Rectifier, IR®, мировой лидер в технологии управления питанием,
анонсировала DirectFET™ MOSFET-транзистор IRF6665 для аудио усилителей класса D
средней мощности. Параметры устройства оптимизированны специально для улучшения
таких звуковых характеристик, как эффективность (КПД), коэффициент нелинейных
искажений (THD) и плотность мощности.
Список применений усилителей класса D очень широк:
- портативных
изделий, имеющих батарейное питание,
- высококачественных профессиональных
усилителей,
- музыкальных инструментов,
- автомобильных систем,
- домашних мультимедийных
систем.
В дополнение к оптимизированному по применению кристаллу,
технология корпусирования DirectFET увеличивает рабочие показатели в усилителях
класса „D”, сокращая индуктивность выводов, что улучшает характеристики
переключения и уменьшает шум электромагнитного излучения (EMI).
Тепловая эффективность позволяет при 100 Вт рабочей мощности и
8-омной нагрузке работать без радиатора. Устранение радиатора уменьшает длину
электрической цепи и массогабаритные показатели, давая проектировщикам больше
гибкости при выборе места расположения компонентов и попутно уменьшая стоимость
усилителя.
Критические параметры MOSFET, определяющие звуковые
характеристики класса „D”, включают в себя такие параметры, как сопротивление
открытого канала транзистора (RDSon) и заряд затвора (Qg). Эти параметры главным
образом определяют эффективность (КПД) усилителя класса „D” - таблица 1.
Таблица 1.
|
Наименование |
Тип корпуса |
U пробоя „сток-исток”, BVDSS, В |
R откр. канала, RDS(on), МОм |
Ток стока ID (Tc=25°C), A |
Время полного заряда затвора, QG typ., нС |
Время заряда коммутации (QSW typ.), нс |
|
IRF6665 |
DirectFET™ |
100 |
51 |
19 |
8 |
3,5 |
 Скачать полную документацию на MOSFET-транзистор IRF6665.
Ремонт и Сервис
РС2-2005
|
